| 发明名称 | 半导体器件的器件层制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的器件层制作方法，该方法包括：在半导体器件衬底上形成栅极后，在栅极侧壁形成氮化层；在所述栅极表面及半导体衬底表面沉积再氧化层后，对栅极和半导体衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙后，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。本发明提供的方法消除了因“微笑”型氧化现象而造成的对器件性能变化范围及开关性能产生影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102054697A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198098.5 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的器件层制作方法，该方法包括：在半导体器件衬底上形成栅极后，在栅极侧壁形成氮化层；在所述栅极表面及半导体衬底表面沉积再氧化层后，对栅极和半导体衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙后，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||