用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法

摘要

本发明披露一种用于移除浸润式微影溶液的组合物。该组合物包括有机溶剂与酸性化合物。另外还揭示了一种用来制造半导体器件的方法，其包括浸润式微影法。当利用浸润式微影法来形成光阻剂图案时，利用浸润式微影法曝光器，在形成于底层上的阻剂薄膜上方进行曝光过程。然后，将该组合物滴在晶片上，以移除在该光阻剂薄膜上的残余浸润式微影溶液，由此改良水痕缺陷现象。

主权项

一种包括浸润式微影法的用于制造半导体器件的方法，该方法包括：(a)在晶片上的底层上方形成光阻剂薄膜；(b)以浸润式微影法曝光器，利用浸润式微影溶液选择性曝光该光阻剂薄膜；(c)(i)在200至300rpm下旋转晶片，同时将组合物缓慢地滴至该晶片上5至15秒，所述组合物包括沸点低于150℃的有机溶剂和pH值低于3的酸性化合物；然后(ii)再次于3000至15000rpm下快速旋转该晶片1至3分钟，以移除留在该光阻剂薄膜上的残余浸润式微影溶液，其中所述有机溶剂为直链或支链C5‑C7烷烃或直链或支链C3‑C7醇；并且所述酸性化合物存在的量为0.005至10重量份，基于100重量份的有机溶剂；以及(d)对生成的结构进行显影，以获得光阻剂图案。