| 发明名称 | 用于减少微负载效应的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种用于减少微负载效应的半导体装置，包含：半导体衬底，其上具有位于内部区域以及外部区域之间的中间环形区域；硅锗装置，位于半导体衬底上的内部区域内；以及多个第一填充图案，位于半导体衬底上的中间环形区域内，其中至少一第一填充图案包含硅锗。本发明提供了一种用于减少微负载效应的半导体装置，能够在一定程度上减小外延生长的微负载效应。 | ||
| 申请公布号 | CN101477984B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200810097351.3 | 申请日期 | 2008.05.13 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 李东兴;杨明宗;郑道;柯庆忠;张添昌;张裕东 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 葛强;张一军 |
| 主权项 | 一种用于减少微负载效应的半导体装置，包含：半导体衬底，其上具有位于内部区域以及外部区域之间的中间环形区域；硅锗装置，位于该半导体衬底上的该内部区域内；以及多个第一填充图案，位于该半导体衬底上的该中间环形区域内，其特征在于至少一该第一填充图案包含硅锗；多个第二填充图案，位于该半导体衬底上的该外部区域内，其中该多个第二填充图案不包含硅锗。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||