一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述碳碘键通过光照发生断裂，在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单原子层厚度石墨烯薄膜，该制备方法更加有利于碳原子的沉积和石墨烯的生长，即制备出的石墨烯薄膜厚度更均一，结构更完整，性能更优良。

主权项

一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述碳碘键通过光照发生断裂，在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。