超接面MOS纵向P型区的制作方法

摘要

本发明公开了一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。本发明利用外延成长和氧化物混合填充深沟槽工艺方法可以有效改善填充工艺，可以有效弥补沟槽填充不足的问题。

主权项

一种超接面MOS纵向P型区的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅衬底上生长N型外延；步骤二、在外延区上刻蚀形成深沟槽；步骤三、生长P型外延硅用以填充部分深沟槽，在沟槽内部形成P型单晶硅，构成超接面MOS的纵向P型区域；步骤四、在外延表面生长氧化物，从而完全填充深沟槽；步骤五、去除表面氧化物，露出外延表面；步骤六、在外延上生长栅二氧化硅，在栅二氧化硅上生长栅极多晶硅，体注入形成体区，源注入形成源区。