发明名称 |
一种高速半导体器件结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提出一种高速半导体器件结构及其形成方法。该结构包括:衬底;形成在所述衬底之上的含Ge组分应变层,其中,所述含Ge组分应变层具有凹槽;形成在所述含Ge组分应变层之上的Si帽层;形成在所述Si帽层的一部分之上,且覆盖所述凹槽的T型栅结构;以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。本发明实施例的PMOS器件结构中,通过在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层上下设置的两个低Ge组分应变SiGe层或Si层,可以在高Ge组分应变SiGe或应变Ge层中产生空穴势阱,从而可以提高载流子的迁移率,极大地改善器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102054871A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN201010520406.4 |
申请日期 |
2010.10.27 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
梁仁荣;王巍;王敬;许军 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种高速半导体器件结构,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底之上的含Ge组分应变层,其中,所述含Ge组分应变层具有凹槽;形成在所述含Ge组分应变层之上的Si帽层;形成在所述Si帽层的一部分之上,且覆盖所述凹槽的T型栅结构;以及形成在所述T型栅结构两侧的源漏极。 |
地址 |
100084 北京市100084-82信箱 |