| 发明名称 | 加工硅晶片的方法 | ||
| 摘要 | 提供处理半导体晶片的方法，所述方法的特征在于连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)用表面活性剂清洗晶片的步骤；(3)用碱或酸清洗晶片的步骤；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102054669A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010294187.2 | 申请日期 | 2010.09.21 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 西村茂树 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 处理硅晶片的方法，其特征在于连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)用表面活性剂清洗晶片的步骤；(3)用碱或酸清洗晶片的步骤；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片的步骤。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||