氮化镓系化合物半导体的制造方法

摘要

本发明系提供一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，特别是在氧化锌系半导体层之上，经由沾湿层及氮化此沾湿层的步骤以形成过渡层的方法，此方法不仅具有保护氧化锌系半导体层表面的功能，而过渡层亦做为后续氮化镓系半导体层磊晶成长的缓冲层，故可以有效地提升氮化镓系半导体层的结晶品质。

主权项

一种氮化镓系化合物半导体的制造方法，其步骤包含：提供一氧化锌系半导体层；形成一沾湿层于该氧化锌系半导体层之上；氮化该沾湿层；重复多次形成该沾湿层及氮化该沾湿层的步骤以形成一过渡层；形成一氮化镓系半导体层于该过渡层之上。