一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，通过在外延片中加入电流扩展曾，使用键合材料和半导体材料形成肖特基势垒的方法阻挡和扩展电流，增加电流密度，提高发光二极管亮度，亮度提升范围是5％-10％。本发明避免采用二次外延技术，这样可以降低生产成本，简化生产过程，缩短生产时间，提高良率。

主权项

一种发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、反射层、n型限制层、发光区、p型限制层、窗口层、出光层和电极，其特征在于，在窗口层和p型限制层间加入电流阻挡层形成肖特基势垒，所述电流阻挡层的厚度为0.01‑‑5.0μm。