发明名称 双镶嵌结构的形成方法、半导体结构
摘要 一种双镶嵌结构的形成方法、半导体结构,其中双镶嵌结构形成方法包括:提供包括有金属布线层的半导体衬底;在金属布线层上形成刻蚀阻挡层、层间介质层、保护层;在保护层表面形成第一光刻胶图形;以第一光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀保护层、部分层间介质层,形成沟槽;去除第一光刻胶图形;在沟槽内形成第一底部抗反射层;在保护层表面形成第二底部抗反射层;在第二底部抗反射层表面形成隔离层;在隔离层表面形成第二光刻胶图形;以第二光刻胶图形为掩膜,刻蚀直至暴露出金属布线层,形成接触孔;去除第二光刻胶图形、隔离层、第二底部抗反射层以及第一底部抗反射层。本发明可以避免出现接触孔击穿,提高光刻精度。
申请公布号 CN102054761A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN200910198594.0 申请日期 2009.11.10
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王琪
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种双镶嵌结构的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:提供包括有金属布线层的半导体衬底;在所述金属布线层上形成依次叠加的刻蚀阻挡层、层间介质层、保护层;在所述保护层表面形成第一光刻胶图形;以所述第一光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀所述保护层、部分所述层间介质层,形成沟槽;去除所述第一光刻胶图形;在所述沟槽内形成第一底部抗反射层;在保护层表面形成第二底部抗反射层;在所述第二底部抗反射层表面形成隔离层;在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形;以所述第二光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀所述隔离层、第二底部抗反射层、第一底部抗反射层、层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述金属布线层,形成接触孔;去除所述第二光刻胶图形、隔离层、第二底部抗反射层以及第一底部抗反射层。
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