发明名称 |
双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 |
摘要 |
一种双镶嵌结构的形成方法、半导体结构,其中双镶嵌结构形成方法包括:提供包括有金属布线层的半导体衬底;在金属布线层上形成刻蚀阻挡层、层间介质层、保护层;在保护层表面形成第一光刻胶图形;以第一光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀保护层、部分层间介质层,形成沟槽;去除第一光刻胶图形;在沟槽内形成第一底部抗反射层;在保护层表面形成第二底部抗反射层;在第二底部抗反射层表面形成隔离层;在隔离层表面形成第二光刻胶图形;以第二光刻胶图形为掩膜,刻蚀直至暴露出金属布线层,形成接触孔;去除第二光刻胶图形、隔离层、第二底部抗反射层以及第一底部抗反射层。本发明可以避免出现接触孔击穿,提高光刻精度。 |
申请公布号 |
CN102054761A |
申请公布日期 |
2011.05.11 |
申请号 |
CN200910198594.0 |
申请日期 |
2009.11.10 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王琪 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种双镶嵌结构的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:提供包括有金属布线层的半导体衬底;在所述金属布线层上形成依次叠加的刻蚀阻挡层、层间介质层、保护层;在所述保护层表面形成第一光刻胶图形;以所述第一光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀所述保护层、部分所述层间介质层,形成沟槽;去除所述第一光刻胶图形;在所述沟槽内形成第一底部抗反射层;在保护层表面形成第二底部抗反射层;在所述第二底部抗反射层表面形成隔离层;在所述隔离层表面形成第二光刻胶图形;以所述第二光刻胶图形为掩膜,依次刻蚀所述隔离层、第二底部抗反射层、第一底部抗反射层、层间介质层和刻蚀阻挡层直至暴露出所述金属布线层,形成接触孔;去除所述第二光刻胶图形、隔离层、第二底部抗反射层以及第一底部抗反射层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |