发明名称 | 电压箝位电路、半导体芯片和电压箝位方法 | ||
摘要 | 提供一种箝位电路,其可以通过使用已包括在电路中的晶体管而将电路节点处的电压箝位到稳定电平。当发生静电放电(ESD)时,箝位电路可以将半导体芯片内部的电路的第一节点处的电压箝位到更稳定的电平。箝位电路可包括晶体管和电容性元件以存储用来响应于ESD而导通晶体管的控制电压。 | ||
申请公布号 | CN101093984B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
申请号 | CN200710128246.7 | 申请日期 | 2007.01.08 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 任敬植;金汉求;高在赫;孙日宪;金锡震 |
分类号 | H03K5/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K5/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 一种箝位在第一电路的第一节点处的电压的箝位电路,该第一电路通过第一衬垫发送和/或接收信号,该箝位电路包括:第一电路的MOS晶体管,该MOS晶体管的第一电极连接到第一节点,并且该MOS晶体管的第二电极连接到接地电压;以及在第一衬垫和MOS晶体管之间连接的电容性元件,该电容性元件存储用来响应于静电放电而导通MOS晶体管的控制电压,其中所述第一电路是电平移动器,其包括形成锁存器结构的一对PMOS晶体管和连接到PMOS晶体管的一对NMOS晶体管,其中所述MOS晶体管是所述一对NMOS晶体管中的一个。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |