一种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法

摘要

本发明提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触进而制造出肖特基二极管阵列。

主权项

一种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，其特征在于包括步骤：1)通过离子注入法在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，并使所述重掺杂层上保留未掺杂的薄层；2)通过光刻法在已形成的半导体基底结构上形成分立的字线阵列，其中，各字线被各相应浅沟道分隔开，所述各浅沟道的深度超过所述重掺杂层；3)采用离子注入法使处于各浅沟道底部的半导体基底区域形成第一导电类型的重掺杂，以使各字线电学隔离；4)在已形成的字线阵列结构上沉积介质材料，使所述介质材料覆盖所述各字线阵列；5)通过光刻工艺选择性刻蚀处于所述字线阵列上方的介质材料，使每一字线上方形成多个用于制作肖特基二极管单元的窗口；6)采用离子注入法使处于各窗口下方的薄层区域形成第二导电类型的轻掺杂区；7)在各窗口处沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触；8)采用化学机械抛光工艺，去除覆盖在各介质材料上方的含锑金属，使处于各窗口处的金属区相互隔离，以形成肖特基二极管阵列。