一种太阳能级多晶硅的制造方法

摘要

本发明涉及一种太阳能级多晶硅制造方法，包括步骤：1、选择纯度不小于99.5％高纯金属硅；2、粉碎金属硅，均匀混入硅质量5～10％的造渣剂；3、将混合粉末置于铸锭炉内进行真空保温熔炼；4、缓慢下降坩埚，实现定向凝固并铸锭；5、将所得硅锭去除头尾、清洗、干燥，包装。本发明解决了现有技术的设备复杂、投资大、能耗高等问题，取得了简化工艺设备、低能耗、无污染等有益效果。

主权项

一种太阳能级多晶硅的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1、根据精料原则选择高纯金属硅，其纯度不小于99.5％；步骤2、将高纯金属硅进行粉碎，并均匀混入为硅质量5～10％的造渣剂；步骤3、将混合粉末置于石英坩埚内，在铸锭炉内进行真空保温熔炼；步骤4、缓慢下降坩埚，使硅液自下而上的缓慢降温，实现定向凝固并铸锭；步骤5、将所得硅锭去除头尾、清洗、干燥，包装。