形成半导体器件的精细图案的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括：在底层上形成旋涂碳层；借助于第一蚀刻掩模图案来形成包括含硅聚合物的抗反射图案；借助于位于所述第一蚀刻掩模图案的元件之间的第二蚀刻掩模图案来形成包括含硅聚合物的光阻图案；以及借助于所述蚀刻掩模图案来蚀刻所述旋涂碳层，以减少处理步骤及制造成本，由此获得均一的图案构型。

主权项

一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括：在半导体基板的底层上形成旋涂碳层；在所述旋涂碳层上形成包含含硅聚合物的抗反射膜；在所述抗反射膜上形成第一光阻图案；将所述第一光阻图案作为蚀刻掩模来选择性地图案化所述抗反射膜，以形成抗反射图案，从而使所述旋涂碳层露出；在所述抗反射图案上形成包含含硅聚合物的第二光阻膜；选择性地图案化所述第二光阻膜，以在所述抗反射图案之间形成第二光阻图案；以及将所述抗反射图案及所述第二光阻图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述旋涂碳层。