互连结构及其形成方法

摘要

一种互连结构及其形成方法，其中互连结构包括：衬底；形成在衬底表面的金属布线层；形成在金属布线层表面的第一阻挡层；形成在第一阻挡层表面的第一层间绝缘层；形成在第一层间绝缘层表面的第二阻挡层；形成在第二阻挡层表面的第二层间绝缘层；形成在第二层间绝缘层表面的保护层；形成在第一阻挡层和第一层间绝缘层内的并暴露出部分金属布线层的接触孔；形成在第二阻挡层、第二层间绝缘层和保护层内并暴露出部分第一层间绝缘层和部分金属布线层的沟槽。本发明能够精确的定义互连结构的沟槽的高度。

主权项

一种互连结构形成方法，其特征在于，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底；在金属布线层上形成第一阻挡层、第一层间绝缘层、第二阻挡层、第二层间绝缘层和保护层；在保护层表面形成第三光刻胶图形；以所述第三光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀保护层、第二层间绝缘层、第二阻挡层、第一层间绝缘层和第一阻挡层直至暴露出金属布线层，形成接触孔；去除第三光刻胶图形；形成填充所述接触孔并位于保护层表面的底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成第四光刻胶图形；以所述第四光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀底部抗反射层、保护层、第二层间绝缘层和第二阻挡层形成沟槽；去除第四光刻胶图形和底部抗反射层。