| 发明名称 | 凸点及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种凸点及其形成方法。其中凸点的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成籽晶层和凸点下金属层；去除光刻胶层后，刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层；在金属屏蔽层、籽晶层和凸点下金属层两侧形成侧墙；在凸点下金属层上形成至少一个含锡金属导线；回流含锡金属导线，形成凸点。本发明解决了凸点间发生桥接的情况，避免了短路现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102044454A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910196933.1 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成籽晶层和凸点下金属层；去除光刻胶层后，刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层；在金属屏蔽层、籽晶层和凸点下金属层两侧形成侧墙；在凸点下金属层上形成至少一个含锡金属导线；回流含锡金属导线，形成凸点。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||