高压DMOS器件

摘要

本发明公开了一种高压DMOS器件。包括：一漂移区、一漏区、一沟道区、一源区、一栅氧化层、一场氧化层、一栅极以及一埋层。所述漂移区位于沟道区和漏区之间，所述源区形成于沟道区上，所述埋层埋于所述漂移区内并和所述沟道区相连接。所述埋层和所述沟道区具有第一导电类型，所述源区、漏区以及漂移区具有第二导电类型。所述埋层能使漏区引入的漂移区高电位引导至漂移区的深处，使漂移区电场呈现二维的均匀分布，减少了漂移区表面电场的积聚，从而减少了漂移区表面发生击穿的几率，提高了击穿电压。在提高击穿电压的基础上，通过增加漂移区掺杂浓度或缩小器件尺寸能降低DMOS的导通电阻，改善器件特性。

主权项

一种高压DMOS器件，其特征在于：包括：一漂移区、一漏区、一沟道区、一源区、一栅氧化层、一场氧化层、一栅极以及一埋层；在具有第一导电类型的衬底上形成一具有第二导电类型的阱区，所述漂移区为阱区中位于沟道区和漏区之间的部分；所述漏区形成在所述阱区中并和所述漂移区一端相接，具有第二导电类型，在所述漏区形成一漏端；所述沟道区形成在所述阱区中并和所述漂移区另一端相接，具有第一导电类型；所述源区形成在所述沟道区中，具有第二导电类型，在所述源区形成一源端；所述栅氧化层形成于沟道区上方并全部覆盖沟道区，并部分覆盖源区和漂移区；所述场氧化层形成在漂移区上，一端以所述漏区为界，另一端和所述栅氧化层相接；所述栅极形成在所述栅氧化层和场氧化层上，覆盖全部所述栅氧化层，覆盖全部或部分场氧化层；所述埋层埋在所述漂移区内，其一端与所述沟道区相连接，另一端向漏端方向横向延伸，具有第一导电类型。