发明名称 |
SiOC微介孔陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种SiOC微介孔陶瓷,包括Si元素、O元素和C元素,其比表面积为649m2/g~1148m2/g,平均孔径为2.1nm~3.1nm,孔容量为0.4cc/g~0.65cc/g。本发明还公开一种SiOC微介孔陶瓷的制备方法:将聚硅氧烷在180℃~250℃下交联1h~6h后,将交联产物破碎,研磨并过筛,得到先驱体颗粒;将先驱体颗粒在裂解炉中进行裂解,裂解温度为1250℃~1400℃,裂解时间为0.5h~1.5h,将得到的裂解产物随炉冷却到室温;将裂解产物在HF酸中腐蚀至少4h,得到所述SiOC微介孔陶瓷。本发明的SiOC微介孔陶瓷含有丰富的微孔和介孔、比表面积高,且制备简单。 |
申请公布号 |
CN102040394A |
申请公布日期 |
2011.05.04 |
申请号 |
CN201010565698.3 |
申请日期 |
2010.11.30 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
马青松;段力群;徐天恒;田浩;刘海韬;陈朝辉 |
分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B38/00(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
赵洪;杨斌 |
主权项 |
一种SiOC微介孔陶瓷,所述SiOC微介孔陶瓷包括Si元素、O元素和C元素,其特征在于,所述SiOC微介孔陶瓷的比表面积为649 m2/g~1148m2/g,平均孔径为2.1nm~3.1nm,孔容量为0.4cc/g~0.65cc/g。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学一院重点实验室 |