发明名称 SiOC微介孔陶瓷及其制备方法
摘要 本发明公开了一种SiOC微介孔陶瓷,包括Si元素、O元素和C元素,其比表面积为649m2/g~1148m2/g,平均孔径为2.1nm~3.1nm,孔容量为0.4cc/g~0.65cc/g。本发明还公开一种SiOC微介孔陶瓷的制备方法:将聚硅氧烷在180℃~250℃下交联1h~6h后,将交联产物破碎,研磨并过筛,得到先驱体颗粒;将先驱体颗粒在裂解炉中进行裂解,裂解温度为1250℃~1400℃,裂解时间为0.5h~1.5h,将得到的裂解产物随炉冷却到室温;将裂解产物在HF酸中腐蚀至少4h,得到所述SiOC微介孔陶瓷。本发明的SiOC微介孔陶瓷含有丰富的微孔和介孔、比表面积高,且制备简单。
申请公布号 CN102040394A 申请公布日期 2011.05.04
申请号 CN201010565698.3 申请日期 2010.11.30
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 马青松;段力群;徐天恒;田浩;刘海韬;陈朝辉
分类号 C04B38/00(2006.01)I 主分类号 C04B38/00(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 赵洪;杨斌
主权项 一种SiOC微介孔陶瓷,所述SiOC微介孔陶瓷包括Si元素、O元素和C元素,其特征在于,所述SiOC微介孔陶瓷的比表面积为649 m2/g~1148m2/g,平均孔径为2.1nm~3.1nm,孔容量为0.4cc/g~0.65cc/g。
地址 410073 湖南省长沙市德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学一院重点实验室