一种单芯片白光发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可以被近紫外光激发而发出黄绿光的特点而形成的，通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将V/III比提高至4000-9000，或者降低生长温度至900-1050℃来大量引入上述缺陷。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且器件的制备工艺简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率。

主权项

一种单芯片白光发光二极管，包括一n型欧姆接触层、一有源层和一p型欧姆接触层，其特征在于，还包括一光致荧光层，所述光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层依次叠加，其中：所述有源层为可发射370nm‑420nm的近紫外光波段的量子阱；所述光致荧光层是在近紫外光激发下可发出黄绿荧光的非掺杂GaN层，是通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将五族源和三族源的比例提高至4000‑9000，或者降低生长温度至900‑1050℃引入缺陷而得到的非掺杂GaN层。