| 发明名称 | BCD工艺中隔离结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种BCD工艺中隔离结构的制造方法，包括以下步骤：步骤一、在器件核心周围刻蚀深槽，形成隔离环；步骤二、淀积一层氧化层介质层；步骤三、采用回蚀的方法将深槽底部的氧化层刻蚀掉，形成侧壁结构，起到隔离的作用；步骤四、槽内填入金属材料。本发明通过用深槽来实现良好的隔离性能和衬底引出的功效。这样不仅避免了寄生击穿问题，同时有效的节省了面积，并具有工艺可行性，与现有的常规工艺能很好的兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102044499A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910201710.X | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;丁宇;张帅 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种BCD工艺中隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在器件核心周围刻蚀深槽，形成隔离环；步骤二、淀积一层氧化层介质层；步骤三、将深槽底部的氧化层刻蚀掉，形成侧壁结构；步骤四、槽内填入金属材料。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||