具有自更新模式的半导体存储装置和相关的操作方法

摘要

公开了一种支持自更新操作的半导体存储装置，并且该存储装置包括：地址缓冲器单元，其可控制以在自更新操作期间被使能，并且其适配为响应第一外部控制信号和外部地址信号而产生内部地址信号以在自更新操作期间控制微调操作；以及操作控制单元，其适配为通过使用微调地址信号执行微调操作，该微调地址信号在自更新操作期间响应内部地址信号而产生，其中操作控制单元包括：微调地址信号发生器，其适配为响应内部地址信号而生成微调地址信号；以及温度感测电路，其适配为响应微调地址信号来执行微调操作，并且响应由精确的断路点定义的存储装置的温度变化而生成温度信号。

主权项

一种支持自更新操作的半导体存储装置，该存储装置包括：地址缓冲器单元，其可控制以在自更新操作期间被使能，并且其适配为响应第一外部控制信号和外部地址信号而产生内部地址信号以在自更新操作期间控制微调操作；以及操作控制单元，其适配为通过使用微调地址信号执行微调操作，该微调地址信号在自更新操作期间响应内部地址信号而产生，其中操作控制单元包括：微调地址信号发生器，其适配为响应内部地址信号而生成微调地址信号；以及温度感测电路，其适配为响应微调地址信号来执行微调操作，并且响应由精确的断路点定义的存储装置的温度变化而生成温度信号。