| 发明名称 | 薄膜晶体管器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101572273B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910050351.2 | 申请日期 | 2009.04.30 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 张志林;张建华;李俊;张良;张小文 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 何文欣 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管器件，它包括在基板(1)、金属栅极层(2)、第一绝缘层(3)、有源层(4)源电极(6)和漏电极(7)，其特征在于在所述的有源层(4)与源电极(6)和漏电极层(7)之间有一层第二绝缘层(8)，它能起到降低源电极(6)和漏电极(7)与有源层(4)中间的接触电阻的作用；所述第二绝缘层(8)的材料是氧化物、氟化物、氮化物或有机绝缘体。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||