| 发明名称 | 钨化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 一种钨化学机械研磨方法，包括：提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介电层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第三阶段化学机械研磨时间相同。本发明能够改善化学机械研磨后钨金属层表面形成凹陷的问题或消除钨金属层表面的凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101590615B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200810114067.2 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 邓永平 |
| 分类号 | B24B1/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;B24B29/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种钨化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介电层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第三阶段化学机械研磨时间相同。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||