| 主权项 |
一种用以操作一非挥发性记忆体细胞的方法，其具有储存电荷之一电荷捕捉结构以及包括一闸极区域、源极区域与汲极区域和一本体区域之复数个电压终端，该方法包括：回应一指令以增加电子至该电荷捕捉结构，施加一偏压安排至该复数个电压终端，使得该偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域，并且该偏压安排包括相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压的该闸极区域。如申请专利范围第1项所述之方法，其中相对于该本体区域而为正偏压的该源极区域与汲极区域将使电洞自该源极区域与汲极区域流至该本体区域。如申请专利范围第1项所述之方法，其中相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压之该闸极区域将使电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第1项所述之方法，其中相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压之该闸极区域将使产生于该本体区域中的电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第1项所述之方法，其中相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域将使电洞自该源极区域与汲极区域流至该本体区域，且电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该偏压安排包括藉不超过约6V的偏压以使得该源极区域与汲极区域相对于该本体区域为正偏压。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该偏压安排包括藉不超过约11V的偏压以使得该闸极区域相对于该源极区域与汲极区域为正偏压。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该偏压安排包括藉不超过约6V的偏压以使得该源极区域与汲极区域相对于该本体区域为正偏压，并且该偏压安排包括藉不超过约11V的偏压以使得该闸极区域相对于该源极区域与汲极区域为正偏压。如申请专利范围第1项所述之方法，其中相对于该本体区域而为正偏压该源极区域与汲极区域的步骤中，包括：以一相同电压，偏压该源极区域与汲极区域；以及将该本体区域接地。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法模拟福勒-诺德汉操作且该偏压安排相较于福勒-诺德汉操作而言具有至少一较低强度电压。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法更包括：回应于一指令以增加电洞至该电荷捕捉结构，施加一第二偏压安排至该复数个电压终端，使得该第二偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域，且该偏压安排包括相对于该源极区域、汲极区域与该本体区域而为负偏压之该闸极区域。一种积体电路，包括：一非挥发性记忆体细胞，包括：一电荷捕捉结构，用来储存电荷；以及复数个电压终端，包括一闸极区域、源极区域与汲极区域，以及一本体区域；耦接至该非挥发性记忆细胞的控制电路，该控制电路施加一偏压安排至该电荷捕捉结构，使得该偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域，并且该偏压安排包括相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压之该闸极区域。如申请专利范围第12项所述之电路，其中相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域使得电洞自该源极区域与汲极区域流至该本体区域。如申请专利范围第12项所述之电路，其中相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压之该闸极区域将使电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第12项所述之电路，其中相对于该源极区域与汲极区域而为正偏压之该闸极区域将使产生于该本体区域中的电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第12项所述之电路，其中相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域将使电洞自该源极区域与汲极区域流至该本体区域，且产生于该本体区域中的电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该偏压安排包括藉不超过约6V的偏压以使得该源极区域与汲极区域相对于该本体区域为正偏压。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该偏压安排包括藉不超过约11V的偏压以使得该闸极区域相对于该源极区域与汲极区域为正偏压。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该偏压安排包括藉不超过约6V的偏压以使得该源极区域与汲极区域相对于该本体区域为为正偏压，并且该偏压安排包括藉不超过约11V的偏压以使得该闸极区域相对于该源极区域与汲极区域为正偏压。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该偏压安排以一相同电压，偏压该源极区域与汲极区域，且将该本体区域接地。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该偏压安排模拟福勒-诺德汉操作，且该偏压安排相较于福勒-诺德汉操作而言具有至少一较低强度电压。如申请专利范围第12项所述之电路，其中该控制电路回应于一指令而施加一第二偏压安排至该复数个电压终端，以增加电洞至该电荷捕捉结构，使得该第二偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压之该源极区域与汲极区域，且该偏压安排包括相对于该源极区域、汲极区域与该本体区域而为负偏压之该闸极区域。 |
