发明名称 运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.01
申请号 TW096143388 申请日期 2007.11.16
申请人 优利科技股份有限公司 发明人 许西岳
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 胡建全 台北市中山区松江路32之1号2楼
主权项 一种运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,其特征在于将晶圆片上的全部P极与N极接触点,以亲水性树酯材料覆盖遮蔽而形成一遮蔽层,进而于晶圆片表面封装设有一含有萤光粉的高分子无机或有机化合物质层,再通过水洗制程而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去,使P极与N极接触点呈裸露,以供进行切割与焊接金线后续制程,而形成一发光二极体。如申请专利范围第1项所述运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,该高分子无机或有机化合物质层的萤光粉系选定使用黄色的萤光物质。如申请专利范围第1项所述运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,该高分子无机或有机化合物质层的萤光粉系选定使用红色与绿色混合的萤光物质。如申请专利范围第1项所述运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,该高分子无机或有机化合物质层的萤光粉系选定使用各种颜色混合的萤光物质。如申请专利范围第1项所述运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,该亲水性树酯材料系以点胶、涂布、印刷或移印的方式而一次覆盖遮蔽于晶圆片上全部P极与N极接触点,形成一可水洗剥离的的遮蔽层。如申请专利范围第1项所述运用水洗处理制造氮化镓或其他类发光二极体的方法,该含有萤光粉的高分子无机或有机化合物质层系利用印刷、涂布、喷涂或移印的方式而封装设于晶圆片的表面。
地址 新北市三重区中正北路193巷21弄3号