发明名称 基板太阳能电池中改进的结
摘要 本发明公开了具有基板结构的包含II-VI族半导体层的薄膜光伏器件,该基板结构具有在吸收体层和窗口层之间的中间层以产生改进的结。本发明也公开了包含II-VI族半导体层的薄膜光伏器件的制造和表面处理方法,所述薄膜光伏器件具有基板结构以产生具有改进的结的器件。
申请公布号 CN102037152A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN200980110210.3 申请日期 2009.03.24
申请人 索莱克山特公司 发明人 P·保尔森;C·霍茨;C·莱德霍姆;D·雷迪
分类号 C23C14/34(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;周玉梅
主权项 一种具有基板结构的光伏器件,其包括:基板,所述基板为透明的或不透明的,金属电极层,透明导体层,包含II‑VI族半导体化合物的吸收体层,窗口层,以及在吸收体层和窗口层之间的中间层。
地址 美国加利福尼亚州