发明名称 |
透明导电性薄膜 |
摘要 |
一种透明导电性薄膜,其包括设置在薄膜基底的一个表面上的聚合物层,和设置在聚合物层上的透明导电层,薄膜基底由聚酯形成,并被双向拉伸。薄膜基底的折射率η1与聚合物层的折射率η2的差|η1-η2|设置为至多0.02。聚合物层含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒,以及固定该颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂。金属氧化物颗粒相对于粘结剂的质量比设置为大于0%且等于或小于100%。 |
申请公布号 |
CN102029756A |
申请公布日期 |
2011.04.27 |
申请号 |
CN201010510629.2 |
申请日期 |
2010.08.19 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
才木隆史;今村直也 |
分类号 |
B32B27/08(2006.01)I;B32B27/18(2006.01)I;B32B27/36(2006.01)I |
主分类号 |
B32B27/08(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
过晓东;谭邦会 |
主权项 |
一种透明导电性薄膜,其包括:薄膜基底,所述薄膜基底由聚酯形成,并被双向拉伸;聚合物层,所述聚合物层在所述薄膜基底的一个表面上形成,并含有折射率ηP为至少1.80的金属氧化物颗粒,及固定所述颗粒、且折射率ηB为至少1.60的粘结剂,所述颗粒相对于所粘结剂的质量比为至多100%,所述薄膜基底的折射率η1与所述聚合物层的折射率η2的差为至多0.02;和在所述聚合物层上形成的透明导电层。 |
地址 |
日本东京 |