| 主权项 |
在半导体衬底上制造的与温度无关的参考电路，包括：第一和第二双极型晶体管，该第一双极型晶体管的基极和集电极联接到该第二双极型晶体管的基极，该第二双极型晶体管的发射极对该第一双极型晶体管的发射极的尺寸比等于N，其中N是大于1的整数，该第一双极型晶体管的发射极联接到地电位；第一和第二电阻器，所述第一和第二电阻器串联联接在该第二双极型晶体管的发射极和该地电位之间，所述第一和第二电阻器分别具有第一和第二电阻值R1和R2，并分别具有第三和第二温度系数TC3和TC2；第一和第二晶体管，所述第一和第二晶体管被布置为相对于所述第一和第二双极型晶体管的电流镜，使得当将电力被供应到该与温度无关的参考电路时，参考电流流过所述第一和第二双极型晶体管中的每一个，所述第一和第二电阻值使得所述第一和第二双极型晶体管的基极‑发射极电压之差的温度系数TC1基本等于TC2×(R2/(R1+R2))+TC3×(R1/(R1+R2))从而导致该参考电流在温度变化下基本恒定；第三双极型晶体管，该第三双极型晶体管的发射极联接到该地电位，该第三双极型晶体管的基极联接到该第二双极型晶体管的集电极，以及第三电阻器，该第三电阻器联接在一节点和该第二双极型晶体管的集电极之间，当电力被供应到该与温度无关的参考电路时，该参考电流流过该第三电阻器，该第三电阻器具有第三电阻值R3以及第三温度系数TC3，该第三电阻值使得在温度变化下，该第三双极型晶体管的基极‑发射极电压的百分比变化基本等于该第三电阻器两端的电压降的百分比变化，从而导致在该节点处生成在温度变化下基本恒定的参考电压。 |
