发明名称 TFT-LCD阵列基板及其制造方法
摘要 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括:形成包括栅线和栅电极的图形;形成包括有源层、数据线、源电极和漏电极的图形,同时去除上述图形以外区域的栅绝缘层;通过曝光显影在感光树脂层上形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的图形;形成包括像素电极、第一连接电极和第二连接电极的图形,像素电极通过第三过孔与漏电极连接。本发明在现有四次构图工艺基础上,通过在第二次构图工艺中刻蚀掉有源层、数据线、源电极和漏电极图形以外区域的栅绝缘层,使得第三次构图工艺中不需要刻蚀工序即可形成过孔,简化了工艺,有效提高了生产效率,降低了制作成本,同时进一步提高了制作质量。
申请公布号 CN102034751A 申请公布日期 2011.04.27
申请号 CN200910093485.2 申请日期 2009.09.24
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 周伟峰;谢振宇;郭建;明星;赵鑫
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 曲鹏
主权项 一种TFT‑LCD阵列基板制造方法,其特征在于,包括:在基板上通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形;在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极和漏电极的图形,同时去除上述图形以外区域的栅绝缘层;在完成前述步骤的基板上通过曝光显影在感光树脂层上形成包括第一过孔、第二过孔和第三过孔的图形,所述第一过孔位于栅线接口区域所在位置,所述第二过孔位于数据线接口区域所在位置,所述第三过孔位于漏电极所在位置;在完成前述步骤的基板上通过构图工艺形成包括像素电极、第一连接电极和第二连接电极的图形,所述第一连接电极通过第一过孔与栅线连接,所述第二连接电极通过第二过孔与数据线连接,所述像素电极通过第三过孔与漏电极连接。
地址 100176 北京市经济技术开发区西环中路8号
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