| 发明名称 | 一种IGBT及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流，这种结构具有自夹断效果，使得IGBT的短路耐受量大大增加，能够很好的保护IGBT。 | ||
| 申请公布号 | CN102034815A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910110732.5 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 唐盛斌;朱超群;冯卫;陈宇;吴海平;刘林 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种IGBT，其特征在于，第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||