一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法

摘要

本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs(Sb)盖层；生长耦合量子点拓展波长；生长掺杂GaAs层；制作上下电极。利用本发明，有效改善量子点发光效率，提高了收集效率以及实现了波长的调控。

主权项

一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，其特征在于，该方法包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕后，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，并对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs盖层；生长耦合点拓展波长生长掺杂GaAs层；制作上下电极，完成电致单光子器件的制备。