一种减少读取干扰的静态随机存储器

摘要

本发明提供了一种减少读取干扰的静态随机存储器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中所述第一PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二PMOS管、所述第二NMOS管组成两个COMS倒相器，交叉耦合形成双稳态触发器，所述第三NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极均相连，所述第四NMOS管的源极和所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的源极均相连；所述静态随机存储器还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的漏极连接低电平。本发明在静态随机存储器中加入第五NMOS管，在执行读取任务时将第五NMOS管关闭，从而避免了读取干扰现象的发生，提高了静态随机存储器读取状态的稳定性。

主权项

一种减少读取干扰的静态随机存储器，包括：第一CMOS倒相器，由第一NMOS管和第二PMOS管组成；第二CMOS倒相器，由第二NMOS管和第二PMOS管组成，所述第一CMOS倒相器和所述第二CMOS倒相器交叉耦合形成双稳态触发器；第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极均相连；第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极和所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的源极均相连；其特征在于：所述静态随机存储器还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的漏极连接低电平。