| 发明名称 | 一种低含氧量硅晶体的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低含氧量硅晶体的制备方法，包括将硅熔液置入石英坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，在硅晶体的制备过程中，将用于降低硅晶体内氧含量的气体通过硅熔液表面，所述的用于降低硅晶体内氧含量的气体中含有CF4。本发明方法操作简单，易于工业化生产，并能保证系统的安全性。 | ||
| 申请公布号 | CN101514487B | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910096219.5 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 浙江碧晶科技有限公司 | 发明人 | 李乔;马远 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种低含氧量硅晶体的制备方法，包括将硅熔液置入石英坩埚反应器内，采用定向凝固法或提拉法制备硅晶体，在硅晶体的制备过程中，将用于降低硅晶体内氧含量的气体通过硅熔液表面，其特征在于：所述的用于降低硅晶体内氧含量的气体中含有CF4。 | ||
| 地址 | 312300 浙江省上虞市人民西路567号 | ||