| 发明名称 | 清洗组合物、清洗方法、及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102031204A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010297139.9 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 高桥智威;高桥和敬;水谷笃史;关裕之;伏见英生;加藤知夫 |
| 分类号 | C11D7/32(2006.01)I;C11D7/34(2006.01)I;C11D7/36(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含：成分a：水、成份b：羟基胺及/或其盐、成分c：碱性有机化合物、和成分d：有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||