发明名称 | 包括掩埋字线的半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种包括掩埋字线的半导体器件。该半导体器件包括:隔离层,用于限定衬底的多个有源区,其中隔离层设置在衬底上;多条掩埋字线,具有比有源区的上表面低的上表面,被有源区围绕,并在平行于衬底的主表面的第一方向上延伸;栅电介质膜,插设在掩埋字线与有源区之间;以及多条掩埋位线,具有比多条掩埋字线的上表面低的上表面,平行于衬底的主表面,并在不同于第一方向的第二方向上延伸。 | ||
申请公布号 | CN102034824A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
申请号 | CN201010294401.4 | 申请日期 | 2010.09.21 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金熙中;吴容哲;郑铉雨;金铉琦;金冈昱 |
分类号 | H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:隔离层,用于限定衬底的多个有源区,其中所述隔离层设置在所述衬底上;多条掩埋字线,具有比所述有源区的上表面低的上表面,被所述有源区围绕,并沿平行于所述衬底的主表面的第一方向延伸;栅电介质膜,插设在所述掩埋字线与所述有源区之间;以及多条掩埋位线,具有比所述多条掩埋字线的上表面低的上表面,平行于所述衬底的所述主表面,并沿不同于所述第一方向的第二方向延伸,其中所述隔离层具有包括多个第一隔离部分和多个第二隔离部分的网络结构,所述多个第一隔离部分沿所述第二方向延伸,所述多个第二隔离部分与所述多个第一隔离部分交叉并沿所述第一方向延伸,从所述有源区的上表面到所述第一隔离部分的下表面的距离大于从所述有源区的上表面到所述第二隔离部分的下表面的距离。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |