| 发明名称 | TFT-LCD阵列基板、制造方法及断线维修方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD阵列基板、制造方法及断线维修方法，涉及液晶显示技术，能够简化TFT工艺过程中进行检测和维修的流程。一种TFT-LCD阵列基板，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极；其中，在所述像素单元中导电图案上或者与导电图案邻接的区域形成有至少两处穿刺结构，所述穿刺结构包括基底以及形成在该基底上的穿透绝缘层的尖刺。本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板可适用于提高TFT工艺过程中进行断线维修的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102033374A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN200910235515.9 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 郭建;周伟峰;明星;陈永;肖光辉 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种TFT‑LCD阵列基板，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，在所述像素单元中导电图案上或者与导电图案邻接的区域形成有至少两处穿刺结构，所述穿刺结构包括基底以及形成在该基底上的穿透绝缘层的尖刺。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区西环中路8号 | ||