| 摘要 |
Ein Leistungshalbleitermodul zum Einsatz in einem Umrichter weist einen Gleichrichterschaltkreis (G) und einen Wechselrichterschaltkreis (W) auf. Es umfasst ein Gehäuse (60), einen ersten Leistungshalbleiterchip (1), der Bestandteil des Gleichrichterschaltkreises (G) ist, und der einen ersten Halbleiterkörper (10) mit einer oberen Chipmetallisierung (11) und einer unteren Chipmetallisierung (12) aufweist, sowie einen zweiten Leistungshalbleiterchip (2), der Bestandteil des Wechselrichterschaltkreises (W) ist, und der einen zweiten Halbleiterkörper (20) mit einer oberen Chipmetallisierung (21) und einer unteren Chipmetallisierung (22) aufweist. Außerdem besitzt das Modul (100) wenigstens ein Keramiksubstrat (3, 4, 5). Der erste Leistungshalbleiterchip (1) und der zweite Leistungshalbleiterchip (2) sind in dem Gehäuse (60) angeordnet. An die obere Chipmetallisierung (11) und/oder an die untere Chipmetallisierung (12) des ersten Leistungshalbleiterchips (1) grenzt jeweils eines der folgenden ersten Verbindungsmittel unmittelbar an: eine Schmelzlotschicht (15); ein aluminiumbasierter Bonddraht (71) mit einem Aluminiumanteil von wenigstens 99 Gew.-% Aluminium. An die obere Chipmetallisierung (21) und/oder an die untere Chipmetallisierung (22) des zweiten Leistungshalbleiterchips (2) grenzt jeweils eines der folgenden zweiten Verbindungsmittel unmittelbar an: eine Diffusionslotschicht (16); eine silberhaltige Sinterschicht; eine Klebeschicht; ein kupferbasierter Bonddraht ... |
