| 摘要 |
1. Способ изготовления источника излучения, заключающийся в том, что в пластине с планарным полупроводниковым лазером создают наклонную площадку с отражающим материалом (отражение в поперечном направлении к плоскости пластины, на которой расположен лазер) в месте выхода лазерного излучения и затем размещают на пути светового потока люминофор, причем отражательную площадку создают либо фрезерованием, либо анизотропным травлением, либо размещением наклонного участка штампованной тонкой пластины (фольги) как для одиночного лазера, так и для их матрицы в двумерном пространстве для каждого лазера в отдельности. ! 2. Способ изготовления источника излучения по п.1, отличающийся тем, что используют в качестве источника излучения ДГС (РОДГС) структуру (в том числе локально) Si-SiC на сапфире Al2O3 (кремний - карбид кремния на сапфире), причем лазер делают на одинарном гетеропереходе. ! 3. Способ изготовления источника излучения по п.1, отличающийся тем, что в пластине с лазерами создают отверстия, в том числе и анизотропным травлением, в которых диффузией создают проводимость или пропускают через них проводки, причем на обратной стороне пластины размещают схему управления лазерами, которую изготавливают в едином технологическом цикле совместно с полупроводниковыми лазерами и соединяют с ними проводящими путями через отверстия. ! 4. Способ изготовления источника излучения по п.1, отличающийся тем, что рядом с лазерами на пластине размещают полупроводниковые ИК источники излучения и фододиоды, которые используют для организации управления путем коммутации светового потока, которое осуществляют касанием пальцем кнопки, ко |
