发明名称 磁性材料的干法刻蚀方法
摘要 本发明提出一种在使用由非有机材料构成的掩膜材料刻蚀磁性材料的情况下,不需要后腐蚀处理和对刻蚀装置的抗腐蚀性对策,减少使磁特性劣化的刻蚀损伤的方法。一种干法刻蚀方法,作为刻蚀气体,使用至少具有一个以上羟基的醇,形成该刻蚀气体的等离子体,使用由非有机系材料构成的掩膜材料干法刻蚀磁性材料。在使用具有一个羟基的醇作为刻蚀气体的情况下,该刻蚀气体是从由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)构成的组中选择的醇。
申请公布号 CN101624701B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200810110008.8 申请日期 2004.07.23
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 小平吉三;广见太一
分类号 C23F4/00(2006.01)I 主分类号 C23F4/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王健
主权项 一种干刻蚀方法,形成从由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)构成的组中选择的醇的气体的等离子体;利用该等离子体化了的醇气体将通过由Ta、Ti、Al、Si中的任一个的单层膜或层叠膜构成的掩膜材料,或者由Ta、Ti、Al、Si中的任一个的氧化物或氮化物的单层膜或层叠膜构成的掩膜材料而掩膜了的磁性材料膜进行干刻蚀,该磁性材料膜为Fe‑Ni系合金、Co‑Fe系合金、Fe‑Mn系合金、Co‑Pt系合金、Ni‑Fe‑Cr系合金、Co‑Cr系合金、Co‑Pt系合金、Co‑Cr‑Pt系合金、Co‑Pd系合金、Co‑Fe‑B系合金的单层膜或层叠膜。
地址 日本东京