发明名称 |
基于方形高次模腔体的基片集成波导多模滤波器 |
摘要 |
基于方形高次模腔体的基片集成波导多模滤波器的介质基片(1)上表面和下表面分别敷有上表面金属(7)和下表面金属(8),金属化通孔阵列(2)贯穿于介质基片(1)、上表面金属(7)和下表面金属(8);起调节不同模式的本征频率以及模式间的耦合作用的第一感性柱(3)和第二感性柱(4)位于金属化通孔阵列(2)围成的方形腔体内部;方形腔体相邻的两条边上分别设有第一金属柱感性窗(7)、第二金属柱感性窗(8),腔体通过金属柱感性窗实现能量的输入和输出耦合;第一金属化通孔阵列(5)和第二金属化通孔阵列(6)分别位于第一金属柱感性窗(7)、第二金属柱感性窗(8),对应于滤波器腔体的输入和输出,它们和外部电路相连接。 |
申请公布号 |
CN101217209B |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200810019061.7 |
申请日期 |
2008.01.11 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
董元旦;洪伟 |
分类号 |
H01P1/207(2006.01)I;H01P1/20(2006.01)I;H01P5/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/207(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
一种基于方形高次模腔体的基片集成波导多模滤波器,其特征在于该滤波器是基于对边TE202模,对角TE202模以及准TM020模的方形腔体基片集成波导三模滤波器,介质基片(1)上表面和下表面分别敷有上表面金属(7)和下表面金属(8),金属化通孔阵列(2)贯穿于介质基片(1)、上表面金属(7)和下表面金属(8);起调节不同模式的本征频率以及模式间的耦合作用的第一感性柱(3)和第二感性柱(4)位于金属化通孔阵列(2)围成的方形腔体内部;方形腔体相邻的两条边上分别设有第一金属柱感性窗(7)、第二金属柱感性窗(8),腔体通过金属柱感性窗实现能量的输入和输出耦合;第一金属化通孔阵列(5)和第二金属化通孔阵列(6)分别位于第一金属柱感性窗(7)、第二金属柱感性窗(8)外,对应于滤波器腔体的输入和输出,第一金属化通孔阵列(5)和第二金属化通孔阵列(6)和外部电路相连接;通过调节第一金属化通孔阵列(5)和第二金属化通孔阵列(6),利用波导截止频率理论,将主模及其它低次模的影响抑制或减弱。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号 |