| 发明名称 | 记忆胞及其制造方法以及记忆体结构 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种记忆胞及其制造方法以及记忆体结构。该记忆胞，其包括基底、绝缘层、栅极、电荷储存结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区与沟道层。绝缘层配置于基底上。栅极配置于绝缘层上。电荷储存结构配置于绝缘层与栅极上。第一源极/漏极区配置于位于栅极的二侧的电荷储存结构上。第二源极/漏极区配置于位于栅极的顶部的电荷储存结构上。沟道层配置于位于栅极的侧壁上的电荷储存结构上，且与第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区电性连接。藉由本发明的记忆胞，可以减少击穿现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102024820A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910176148.X | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄竣祥;蔡文哲;欧天凡;程政宪 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种记忆胞，其特征在于其包括：一基底；一绝缘层，配置于该基底上；一栅极，配置于该绝缘层上；一电荷储存结构，配置于该绝缘层与该栅极上；一第一源极/漏极区，配置于位于该栅极的二侧的该电荷储存结构上；一第二源极/漏极区，配置于位于该栅极的顶部的该电荷储存结构上；以及一沟道层，配置于位于该栅极的侧壁上的该电荷储存结构上，且与该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||