发明名称 | 由液相形成原子层薄膜的方法和微电子结构 | ||
摘要 | 描述一种处理衬底的方法。将偶联剂和金属离子溶液施用于衬底。施用活化溶液来活化金属离子溶液的金属离子,从而由离子形成金属薄膜。 | ||
申请公布号 | CN101416280B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
申请号 | CN200780011800.1 | 申请日期 | 2007.03.21 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·戈德斯坦 |
分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;张志醒 |
主权项 | 一种由液相形成原子层薄膜的方法,包括:将偶联剂和金属离子溶液施用于衬底;以及施用活化溶液以活化所述金属离子溶液的金属离子,从而由所述离子形成原子层厚度的金属薄膜。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |