| 发明名称 | 测量光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种测量光刻工艺中关键尺寸摇摆曲线的方法，包括：在晶圆上形成厚度渐变的光刻胶膜；测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；根据测量的关键尺寸，得到关键尺寸摇摆曲线。从而仅使用一片晶圆测量得到光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线，减少了光刻胶及晶圆的使用，缩短了工艺和测量时间，节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102023486A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195401.6 | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 安辉 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种测量光刻工艺的关键尺寸摇摆曲线的方法，包括：在晶圆上形成厚度渐变的光刻胶膜；测量光刻胶膜的不同厚度所对应的关键尺寸；根据测量的关键尺寸，得到关键尺寸摇摆曲线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||