| 发明名称 | 衬底处理方法及衬底处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供衬底处理方法，促进元件分离槽内的聚硅氮烷的氧化膜(SiO2)化，能够提高绝缘膜的膜质(电特性以及介电常数)。通过以下工序进行衬底处理：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的约400℃上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102024742A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010287118.9 | 申请日期 | 2010.09.16 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 原田彻;南政克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 陈伟 |
| 主权项 | 一种衬底处理方法，其特征在于，具有如下工序：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及350℃以上450℃以下的温度的工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及350℃以上450℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的350℃以上450℃以下的温度上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||