栅极结构形成方法

摘要

一种栅极结构形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面依次形成栅介质层、多晶硅层、金属硅化物层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极对应；以所述光刻胶图形为掩膜，采用等离子体刻蚀工艺，依次刻蚀硬掩膜层、金属硅化物层和多晶硅层，形成栅极；且所述金属硅化物层的宽度小于多晶硅层；对金属硅化物层、多晶硅层、栅介质层以及衬底进行退火。本发明采用等离子体工艺去除一部分金属硅化物层，能够与刻蚀硬掩膜层和多晶硅层的工艺结合，选择同样的刻蚀设备，集成在同一刻蚀工艺中，节约半导体工艺步骤，提高了生产效率。

主权项

一种栅极结构形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底表面依次形成栅介质层、多晶硅层、金属硅化物层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形与栅极对应；以所述光刻胶图形为掩膜，采用等离子体刻蚀工艺，依次刻蚀硬掩膜层、金属硅化物层和多晶硅层，形成栅极；且所述金属硅化物层的宽度小于多晶硅层；对金属硅化物层、多晶硅层、栅介质层以及衬底进行退火。