用于制造半导体器件的方法

摘要

一种用于制造半导体器件(诸如CMOS、MOS、BiCMOS)的方法。该方法包括：提供具有表面区域的半导体衬底，该表面区域具有一种或多种杂质。该一种或多种杂质至少包括碳化物。该表面区域还具有上覆的氧化层。使用湿法刻蚀工艺处理表面区域，以选择性地去除上覆的氧化层并露出包括一种或多种杂质的表面区域。在小于1秒的时间周期内使表面区域经受具有范围从约300纳米至约800纳米的波长的高能电磁辐射，以使表面区域的温度升高到大于1000摄氏度，以去除设置在表面区域上的一种或多种杂质。去除高能电磁辐射以在小于1秒的时间周期内使温度降低到约300摄氏度至约600摄氏度。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的半导体衬底，所述表面区域具有一种或多种杂质，所述一种或多种杂质至少包括碳化物，所述表面区域具有上覆的氧化层；选择性地去除所述氧化层，并露出包括所述一种或多种杂质的所述表面区域；在小于1秒的时间周期内使所述表面区域经受具有范围从约300纳米至约800纳米的波长的高能电磁辐射，以使所述表面区域的温度升高到大于1000摄氏度，以去除设置在所述表面区域上的所述一种或多种杂质；去除所述高能电磁辐射，在小于1秒的时间周期内使所述表面区域的温度降低到约300摄氏度至约600摄氏度。