发明名称 |
一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法,包括如下步骤:(a)前驱体油墨浆料制备(b)前驱体薄膜制备(c)干燥还原(d)硫化退火。本发明所提供的铜铟硫薄膜丝网印刷制备方法,与传统的高真空气相法相比,其工艺简单,成本低,可控性强,可重复性强,可以制备大面积、成分均匀的吸收层薄膜,易实现大规模生产,热被投资少,原料利用率高,可促进铜铟硫薄膜太阳能电池产业化快速发展。 |
申请公布号 |
CN102024878A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN201010530299.3 |
申请日期 |
2010.11.03 |
申请人 |
上海联孚新能源科技有限公司 |
发明人 |
王长君;苏青峰;赖建明;张根发;吴明明;罗军;李帅 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海硕力知识产权代理事务所 31251 |
代理人 |
郭桂峰 |
主权项 |
一种太阳能电池用铜铟镓硫薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)前驱体油墨浆料制备:将含Cu、含In、含Ga的化合物和S化物,按照In、Ga离子摩尔比为1~4:1;Cu、(In+Ga)、S离子摩尔比为1~2:1:5~8配置,并加入一定量溶液调节剂,搅拌24h,得到前驱体油墨浆料;(b)前驱体薄膜制备:将步骤a中所述油墨浆料利用丝网印刷方法,在钠钙玻璃Mo衬底上制备前驱体薄膜,反复印刷,薄膜厚度约为8μm;(c)干燥还原:将步骤b制备的所述前驱体薄膜,干燥还原,采用H2气还原,升温速率为2~10℃/min,在200~300℃保温30~60min;(d)硫化退火:将步骤c还原制备的前驱体薄膜,进行硫化退火形成铜铟镓硫薄膜。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区王桥路1003号 |