| 发明名称 | 硅外延片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在{110}晶片中，可以进行100nm以下的LPD测定，防止表面粗糙度的恶化，可以判断表面状态，能够进行晶片的品质评价。本发明的在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长外延层的硅外延片中，生长外延层的硅晶片将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的<100>方位向<110>方向的0～45°的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101168851B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710149732.7 | 申请日期 | 2007.09.05 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 土肥敬幸;中原信司;樱井雅哉;坂井正人 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种硅外延片，在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长有外延层，其特征在于：在生长外延层的硅晶片中，将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的<100>方位向<110>方向的大于0°且小于等于45°的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||