| 发明名称 | 一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种读隔离可编程存储器单元及其编程和读取方法，该读隔离可编程存储器单元包括：第一晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一阱电压端；第二晶体管，包括第二离子注入区、第二栅极和第二阱电压端；第三晶体管，包括第三源极、第三漏极和第三栅极；第一晶体管的第一栅极与字线连接；第一晶体管的第一漏极与第二晶体管的第二离子注入区连接；第一晶体管的第一源极与编程位线连接；第二晶体管的第二栅极与源线连接；第三晶体管的第三漏极与读取位线连接；第一晶体管的第一阱电压端与第二晶体管的第二阱电压端连接。通过本发明防止数据编程时编程位线上高电压将与读取位线连接的晶体管击穿，提高了可编程存储器编程的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101359505B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200810119308.2 | 申请日期 | 2008.09.02 |
| 申请人 | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 | 发明人 | 朱一明;刘奎伟 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 一种读隔离可编程存储器单元，其特征在于，包括：第一晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一阱电压端；第二晶体管，包括第二离子注入区、第二栅极和第二阱电压端；第三晶体管，包括第三源极、第三漏极和第三栅极；第一晶体管的第一栅极与字线连接；第一晶体管的第一漏极与第二晶体管的第二离子注入区连接；第一晶体管的第一源极与编程位线连接；第二晶体管的第二栅极与源线连接；第三晶体管的第三漏极与读取位线连接；第一晶体管的第一阱电压端与第二晶体管的第二阱电压端连接；第三晶体管的第三源极与编程位线连接。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 | ||