发明名称 用于将结构施加在半导体组件上的方法
摘要 本发明涉及一种用于将由结构材料制成的预定结构施加在半导体组件上的方法,所述方法包括以下步骤:A)用遮蔽层部分地覆盖半导体组件的表面,B)将由结构材料制成的膜施加在遮蔽层上并在由遮蔽层空出的区域内施加在半导体组件的表面上,C)溶解遮蔽层连同位于遮蔽层上的结构材料。这里重要的是,在步骤B和C之间在步骤B2中部分去除由结构材料制成的膜。
申请公布号 CN101569004B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200780048030.8 申请日期 2007.12.20
申请人 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 发明人 O·舒尔茨;F·格拉内克;A·格罗厄
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 吴鹏;马江立
主权项 一种用于将由结构材料制成的预定结构施加在半导体组件上的方法,包括以下步骤:A用遮蔽层部分地覆盖半导体组件的表面,B将由结构材料制成的膜施加在遮蔽层上并在由遮蔽层空出的区域内施加在半导体组件的表面上,C溶解遮蔽层连同位于遮蔽层上的结构材料,其中,在步骤B和C之间在步骤B2中部分地去除由结构材料制成的膜,其特征为:在步骤B2中对由结构材料制成的膜打孔。
地址 德国慕尼黑